标题 |
Border Trap-Enhanced Ga2O3 Nonvolatile Optoelectronic Memory
边界陷阱增强Ga2O3非易失性光电存储器
相关领域
存水弯(水管)
光电子学
非易失性存储器
材料科学
纳米技术
物理
气象学
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DOI | |
其它 |
期刊:Nano Letters 作者:Yonghui Zhang; Rui Zhu; Wenxing Huo; Huili Liang; Zengxia Mei 出版日期:2024-10-30 |
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