标题 |
MoS2 Transistor with Weak Fermi Level Pinning via MXene Contacts
MXene触点弱费米能级钉扎MoS2晶体管
相关领域
材料科学
肖特基势垒
电极
异质结
范德瓦尔斯力
凝聚态物理
工作职能
晶体管
光电子学
费米能级
过渡金属
纳米技术
肖特基二极管
电气工程
电压
电子
化学
催化作用
物理
分子
量子力学
生物化学
工程类
图层(电子)
二极管
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其它 |
期刊:Advanced Functional Materials 作者:Ruosi Chen; Guanglong Ding; Zihao Feng; Shi‐Rui Zhang; Wen‐Ai Mo; et al 出版日期:2022-08-15 |
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