A novel MOCVD reactor for growth of high-quality GaN-related LED layers

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标题	A novel MOCVD reactor for growth of high-quality GaN-related LED layers 一种用于生长高质量GaN相关LED层的新型MOCVD反应器相关领域金属有机气相外延材料科学化学气相沉积光电子学氮化镓外延发光二极管光致发光氮化物二极管薄膜宽禁带半导体图层（电子）复合材料纳米技术
网址	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.12.038
DOI	10.1016/j.jcrysgro.2014.12.038 doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Shaolin Hu; Sheng Liu; Zhi Zhang; Han Yan; Zhiyin Gan; et al 出版日期：2015-01-08
求助人	Eternitymaria 在 2024-11-05 14:42:37 发布自江苏，悬赏 10 积分
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