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 Temperature dependent pulsed IV and RF characterization of β-(AlxGa1−x)2O3/Ga2O3 hetero-structure FET with ex situ passivation 非原位钝化β-（AlxGa1-x）2O3/Ga2O3异质结构FET的温度相关脉冲IV和RF特性
相关领域
钝化
材料科学
分析化学（期刊）
微秒
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氮化硅
光电子学
硅
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电气工程
物理
化学
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工程类
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图层（电子）
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Chinmoy Nath Saha; Abhishek Vaidya; Uttam Singisetti 出版日期：2022-04-25 |
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