Plasma treatment for chemical SiOx enables excellent passivation of p-type polysilicon passivating contact featuring the lowest J of ∼6 fA/cm2

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标题	Plasma treatment for chemical SiOx enables excellent passivation of p-type polysilicon passivating contact featuring the lowest J of ∼6 fA/cm2 化学SiOx的等离子体处理使得p型多晶硅钝化触点具有优异的钝化效果，其最低J值为6 fA/cm2 相关领域钝化等离子体增强化学气相沉积材料科学等离子体悬空债券蚀刻（微加工）远程等离子体硅分析化学（期刊）图层（电子）化学气相沉积纳米技术光电子学化学有机化学量子力学物理
网址	https://doi.org/10.1016/j.solmat.2023.112354
DOI	10.1016/j.solmat.2023.112354 doi
其它	期刊：Solar Energy Materials and Solar Cells 作者：Haiyang Xing; Zunke Liu; Zhenhai Yang; Mingdun Liao; Qisong Wu; et al 出版日期：2023-08-01
求助人	好学的X 在 2024-03-07 14:57:31 发布自浙江，悬赏 10 积分
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