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 Static and Dynamic Characteristics of a 1200-V/22 -mΩ Normally-Off SiC/GaN Cascode Device Built With Parallel-Connected SiC JFETs Controlled by a Single GaN HEMT 由单个GaN HEMT控制的并联SiC JFET构建的1200-V/22-m Ω常关SiC/GaN共源共栅器件的静态和动态特性
相关领域
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材料科学
氮化镓
宽禁带半导体
光电子学
碳化硅
晶体管
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电压
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工程类
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冶金
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期刊：IEEE Transactions on Power Electronics 作者：Gang Lyu; Jiahui Sun; Jin Wei; Kevin J. Chen 出版日期：2023-07-14 |
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