标题 |
![]() 肖特基型p-GaN栅极HEMT漏极相关双向动态阈值电压偏移的全范围研究
相关领域
高电子迁移率晶体管
光电子学
材料科学
肖特基二极管
阈值电压
氮化镓
宽禁带半导体
电压
肖特基势垒
电气工程
晶体管
纳米技术
工程类
图层(电子)
二极管
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Muqin Nuo; Ming Zhong; Zetao Fan; Yunhong Lao; Lifeng Liu; et al 出版日期:2025-01-01 |
求助人 | |
下载 | |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|