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标题
Full-Range Investigation of Drain-Dependent Bidirectional Dynamic Threshold Voltage Shift in Schottky-Type p-GaN Gate HEMT
肖特基型p-GaN栅极HEMT漏极相关双向动态阈值电压偏移的全范围研究
相关领域
高电子迁移率晶体管 光电子学 材料科学 肖特基二极管 阈值电压 氮化镓 宽禁带半导体 电压 肖特基势垒 电气工程 晶体管 纳米技术 工程类 图层(电子) 二极管
网址
DOI
10.1109/ted.2025.3534155 doi
其它 期刊:IEEE Transactions on Electron Devices
作者:Muqin Nuo; Ming Zhong; Zetao Fan; Yunhong Lao; Lifeng Liu; et al
出版日期:2025-01-01
求助人
帅帅哈 在 2025-04-23 11:15:03 发布自陕西,悬赏 10 积分
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