Cross‐Substitution Promoted Ultrawide Bandgap up to 4.5 eV in a 2D Semiconductor: Gallium Thiophosphate

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标题	Cross‐Substitution Promoted Ultrawide Bandgap up to 4.5 eV in a 2D Semiconductor: Gallium Thiophosphate 交叉取代促进二维半导体材料的超宽带隙高达4.5 eV 相关领域材料科学半导体响应度光电探测器紫外线带隙光电子学单层直接和间接带隙纳米技术
网址	https://doi.org/10.1002/adma.202008761
DOI	10.1002/adma.202008761 doi
其它	期刊：Advanced materials 作者：Yong Yan; Juehan Yang; Juan Du; Xiaomei Zhang; Yueyang Liu; et al 出版日期：2021-04-19
求助人	小薇丸子在 2024-07-12 23:31:51 发布自吉林，悬赏 10 积分
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