标题 |
Gate Voltage- and Bias Voltage-Tunable Staggered-Gap to Broken-Gap Transition Based on WSe2/Ta2NiSe5 Heterostructure for Multimode Optoelectronic Logic Gate
基于WSe2/Ta2NiSe5异质结构的栅压和偏压可调交错带隙到断隙转变的多模光电逻辑栅
相关领域
光电子学
光探测
异质结
材料科学
堆积
光电探测器
物理
核磁共振
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:ACS Nano 作者:Tiejun Zhu; Kai Li; Yao Zhang; Shaoping Meng; Mengfei He; et al 出版日期:2024-04-17 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|