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 Projected performance of Si- and 2D-material-based SRAM circuits ranging from 16 nm to 1 nm technology nodes 16纳米至1纳米技术节点范围内基于硅和2D材料的SRAM电路的预计性能
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期刊：Nature nanotechnology 作者：Yu-Cheng Lu; Wei‐Juan Huang; Kai-Yuan Chao; Lain‐Jong Li; Vita Pi‐Ho Hu 出版日期：2024-06-21 |
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