标题 |
SiC Epitaxial Growth in a 7x100mm/3x150mm Horizontal Hot-Wall Batch Reactor
7 x 100 mm/3 x 150 mm水平热壁间歇反应器中的SiC生长
相关领域
外延
材料科学
薄脆饼
兴奋剂
表面粗糙度
光电子学
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复合材料
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期刊:Materials science forum 作者:T. Höchbauer; Mario Leitner; R. Kern; M. Künle 出版日期:2015-06-01 |
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