| 标题 |
 On the Manifestation of Ge Pre-Amorphization Implantation (PAI) in Forming Ultrathin TiSixfor Ti Direct Contact on Si in Sub-16/14 nm Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) Technology Nodes 在亚16/14 nm互补金属氧化物半导体（CMOS）技术节点中，Ge预非晶化注入（PAI）在Si上形成用于Ti直接接触的超薄TiSix中的表现
相关领域
材料科学
硅化物
薄板电阻
无定形固体
锡
接触电阻
光电子学
透射电子显微镜
硅
离子注入
兴奋剂
分析化学（期刊）
纳米技术
结晶学
图层（电子）
冶金
离子
量子力学
物理
化学
色谱法
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者：Shujuan Mao; Jing Xu; Guilei Wang; Jun Luo; Ning Duan; et al 出版日期：2017-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
Grayball
浦肯野
MchemG
nozero
pcr163
andrele
小透明
YifanWang
brian0326
从容芮
醉书生
Oracle
CAOHOU
JPH1990
VDC
NJD
复杂书竹
zinnn
子凡
shinysparrow
皖公网安备34019202002308
