| 标题 |
 Comparison of Ga2O3 Films Grown on m- and r-plane Sapphire Substrates by MOCVD MOCVD法在m面和r面蓝宝石衬底上生长Ga2O3薄膜的比较
相关领域
蓝宝石
材料科学
金属有机气相外延
增长率
微晶
化学气相沉积
分析化学（期刊）
椭圆偏振法
形态学（生物学）
基质（水族馆）
平面（几何）
薄膜
外延
光学
结晶学
光电子学
复合材料
纳米技术
冶金
激光器
化学
物理
地质学
海洋学
生物
遗传学
色谱法
数学
图层（电子）
几何学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
个性的紫菜
pcr163
苏卿
彭于彦祖
oceanao
HEIKU
嗯哼
宜醉宜游宜睡
竹筏过海
Yziii
Singularity
shinysparrow
不配.
寻道图强
梓泽丘墟
西红柿炒番茄
yufanhui
Renee
哎嘿
去火星种一颗芋头
皖公网安备34019202002308
