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 Dislocation characterization of GaN layers in high-performance, High-Electron-Mobility Transistor structures grown on on-axis and off-axis 4H-SiC(0001) substrates 同轴和离轴4H-SiC（0001）衬底上生长的高性能、高电子迁移率晶体管结构中GaN层的位错表征
相关领域
材料科学
位错
表征（材料科学）
晶体管
光电子学
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Seung Min Lee; Woon Jae Ruh; Hyun Jin Choi; Daewoong Kwon; Eun Ah Cheon; et al 出版日期：2025-02-25 |
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