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 Enhanced Oxidation Resistance and Interface Stability of Atomic-Layer-Deposited MoNx Electrodes via TiN Passivation for DRAM Cell Capacitor Applications 用于DRAM单元电容器的TiN钝化增强原子层沉积MoNx电极的抗氧化性和界面稳定性
相关领域
钝化
材料科学
锡
德拉姆
电容器
原子层沉积
图层（电子）
电极
光电子学
纳米技术
冶金
电气工程
电压
物理化学
工程类
化学
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期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Wangu Kang; Ji Sang Ahn; J.H. Lee; Byung Joon Choi; Jeong Hwan Han 出版日期：2024-10-15 |
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