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标题
Influence of the voltage window on resistive switching memory characteristics based on g-C3N4 device
电压窗口对基于g-C3N4器件的电阻开关存储器特性的影响
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网址
https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2018.07.016
DOI
10.1016/j.ceramint.2018.07.016 doi
其它 期刊：Ceramics International
作者：Xiaojun Wang; Bai Sun; Xiaoxia Li; Bolin Guo; Yushuang Zeng; et al
出版日期：2018-07-02
求助人
Ysusb 在 2025-03-13 17:29:40 发布自河北，悬赏 10 积分
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