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 DC and RF analysis of ScAlN/GaN/β-Ga2O3 and ScAlN/InGaN/GaN/β-Ga2O3 HEMTs on SiC Substrate SiC衬底上ScAlN/GaN/β-Ga2O3和ScAlN/InGaN/β-Ga2O3 HEMTs的直流和射频分析
相关领域
材料科学
光电子学
基质（水族馆）
氮化镓
高电子迁移率晶体管
纳米技术
晶体管
电气工程
图层（电子）
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生物
生态学
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期刊：Microelectronics Journal 作者：M Jagadesh; A. Karthikeyan; Devaraj Somasundaram 出版日期：2024-08-31 |
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yyxyyx
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