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Studying the Characteristics of Transistors Based on Gallium Nitride Heterostructures Grown by Ammonia Molecular Beam Epitaxy on Sapphire and Silicon Substrates
基于氨分子束外延在蓝宝石和硅衬底上生长的氮化镓异质结构的晶体管特性研究
相关领域
分子束外延 材料科学 异质结 蓝宝石 光电子学 氮化镓 外延 硅 镓 氮化物 蓝宝石上的硅 晶体管 氨 纳米技术 光学 图层（电子） 化学 激光器 绝缘体上的硅 冶金 电气工程 物理 工程类 电压 有机化学
网址
https://link.springer.com/article/10.1134/S1063785019020238?...
DOI
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AI识别 10.1134/s1063785019020238 doi
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唐不苦 在 2025-03-18 15:13:57 发布自福建，悬赏 10 积分
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