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Studying the Characteristics of Transistors Based on Gallium Nitride Heterostructures Grown by Ammonia Molecular Beam Epitaxy on Sapphire and Silicon Substrates
基于氨分子束外延在蓝宝石和硅衬底上生长的氮化镓异质结构的晶体管特性研究
相关领域
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网址
https://link.springer.com/article/10.1134/S1063785019020238?...
DOI
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AI识别 10.1134/s1063785019020238 doi
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唐不苦 在 2025-03-18 15:13:57 发布自福建，悬赏 10 积分
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