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 Tricritical behavior of the two-dimensional intrinsically ferromagnetic semiconductor CrGeTe3 二维本征铁磁半导体CrGeTe3的三临界行为
相关领域
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期刊：Physical review 作者：Gaoting Lin; Houlong Zhuang; X. Luo; B. J. Liu; F. C. Chen; et al 出版日期：2017-06-30 |
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