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Accumulation channel vs. inversion channel 1.2 kV rated 4H-SiC buffered-gate (BG) MOSFETs: Analysis and experimental results
累积沟道与反转沟道1.2 kV额定4H-SiC缓冲栅(BG)MOSFETs:分析与实验结果
相关领域
MOSFET
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材料科学
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期刊: 作者:Kijeong Han; B. Jayant Baliga; Woongje Sung 出版日期:2018-05-01 |
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