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 BEOL-Compatible High-Performance a-IGZO Transistors with Record high Ids,max = 1207 μA/μm and on-off ratio exceeding 1011 at Vds = 1V 与BEOL兼容的高性能a-IGZO晶体管，具有创纪录的高ID，最大值=1207 μ A/μ m，在Vds=1V时导通比超过1011
相关领域
欧米茄
物理
无定形固体
接触电阻
结晶学
肖特基势垒
材料科学
凝聚态物理
光电子学
电极
化学
量子力学
二极管
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期刊：2022 International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Qijun Li; Chengru Gu; Shenwu Zhu; Qianlan Hu; Wenjie Zhao; et al 出版日期：2023-01-24 |
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