Channel Length-Dependent Charge Detrapping on Threshold Voltage Shift of Amorphous InGaZnO TFTs Under Dynamic Bias Stress

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标题	Channel Length-Dependent Charge Detrapping on Threshold Voltage Shift of Amorphous InGaZnO TFTs Under Dynamic Bias Stress 动态偏压下非晶态InGaZnO薄膜晶体管阈值电压偏移的沟道长度电荷解扰相关领域薄膜晶体管阈值电压无定形固体电荷（物理）材料科学晶体管偏压光电子学压力（语言学）电场电压凝聚态物理物理电气工程化学纳米技术结晶学量子力学工程类哲学语言学图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2013.2253466
DOI	10.1109/ted.2013.2253466 doi
其它	期刊：I.E.E.E. transactions on electron devices/IEEE transactions on electron devices 作者：Suehye Park; Edward Namkyu Cho; Ilgu Yun 出版日期：2013-05-01
求助人	坐井观天的蛙在 2024-05-21 17:00:42 发布自四川，悬赏 10 积分
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