An Improved Single-Event Effect Performance SiC MOSFET of Hole Extraction Pillar Combined With Multilayer P-Shield Structure

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标题	An Improved Single-Event Effect Performance SiC MOSFET of Hole Extraction Pillar Combined With Multilayer P-Shield Structure 结合多层P-屏蔽结构的空穴提取柱SiC MOSFET改善单层效应性能相关领域 MOSFET 材料科学电气工程分析化学（期刊）物理电压化学工程类晶体管色谱法
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2023.3346372
DOI	10.1109/ted.2023.3346372 doi
其它	期刊：I.E.E.E. transactions on electron devices/IEEE transactions on electron devices 作者：Rui Yang; Xiaochuan Deng; Xu Li; Haibo Wu; Xuan Li; et al 出版日期：2024-02-01
求助人	清秀吐司在 2024-06-12 13:47:31 发布自江苏，悬赏 10 积分
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