Dislocations in 4H silicon carbide

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标题	Dislocations in 4H silicon carbide 4H碳化硅中的位错相关领域碳化硅材料科学薄脆饼光电子学外延可靠性（半导体）工程物理功率半导体器件碳化物纳米技术功率（物理）复合材料量子力学物理工程类图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac8a58
DOI	10.1088/1361-6463/ac8a58 doi
其它	期刊：Journal of Physics D 作者：Jiajun Li; Yiqiang Zhang; Xiaoshuang Liu; Hao Luo; Lingbo Xu; et al 出版日期：2022-09-23
求助人	小惊麟在 2024-06-14 09:00:22 发布自浙江，悬赏 10 积分
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