| 标题 |
[高分]
 Edge facet dynamics during the growth of heavily doped n-type silicon by the Czochralski-method Czochralski法生长重掺杂n型硅的边缘刻面动力学
相关领域
位错
硅
结晶学
兴奋剂
GSM演进的增强数据速率
材料科学
面（心理学）
凝聚态物理
曲率
Crystal（编程语言）
过冷
晶体生长
化学物理
化学
几何学
光电子学
热力学
物理
数学
心理学
电信
社会心理学
人格
计算机科学
五大性格特征
程序设计语言
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Crystal Growth 作者：L. Stockmeier; C. Kranert; G. Raming; Alfred Miller; C. Reimann; et al 出版日期：2018-06-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
带头大哥
shinysparrow
rosalieshi
HEIKU
嗯哼
art888
坚强的广山
Cloud
SinU
乐乐乐乐乐乐
薰硝壤
Puan
YifanWang
juni12
猪猪hero
sissiarno
Singularity
蓝胖子
粗犷的沛容
陈军
皖公网安备34019202002308
