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 Impact of Intrinsic Stress in Diamond Capping Layers on the Electrical Behavior of AlGaN/GaN HEMTs 金刚石覆盖层内禀应力对AlGaN/GaN HEMTs电学行为的影响
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Ashu Wang; Marko J. Tadjer; Travis J. Anderson; Roland Baranyai; James W. Pomeroy; et al 出版日期：2013-08-07 |
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