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 Growth of Micropipe-Free Single Crystal Silicon Carbide (SiC) Ingots Via Physical Vapor Transport (PVT) 通过物理气相传输(PVT)生长无微管单晶碳化硅(SiC)锭
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期刊：Materials science forum 作者：C. Basceri; I.I. Khlebnikov; Yuri I. Khlebnikov; Peter G. Muzykov; Monica Sharma; et al 出版日期：2006-10-15 |
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