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 Optimisation of AlN and GaN growth by metalorganic vapour-phase epitaxy (MOVPE) on Si (111) Si（111）上金属有机气相外延生长AlN和GaN的优化
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期刊：Journal of Crystal Growth 作者：H. Lahrèche; P. Vennéguès; O. Tottereau; M. Laügt; P. Lorenzini; et al 出版日期：2000-07-01 |
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