A Back-Illuminated SPAD Fabricated With 40 nm CMOS Image Sensor Technology Achieving Near 40% PDP at 940 nm

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标题	A Back-Illuminated SPAD Fabricated With 40 nm CMOS Image Sensor Technology Achieving Near 40% PDP at 940 nm 采用40 nm CMOS图像传感技术制作的背照式SPAD在940 nm处实现了近40%的PDP 相关领域抖动单光子雪崩二极管光电子学光学 CMOS芯片雪崩二极管半最大全宽物理反射器（摄影）材料科学二极管击穿电压雪崩光电二极管探测器电气工程电压工程类量子力学光源
网址	https://doi.org/10.1109/jstqe.2023.3272777
DOI	10.1109/jstqe.2023.3272777 doi
其它	期刊：IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 作者：Eunsung Park; Won-Yong Ha; Hyo-Sung Park; Doyoon Eom; Hyun-Seung Choi; et al 出版日期：2023-01-01
求助人	hellogo 在 2024-02-18 09:08:54 发布自陕西，悬赏 10 积分
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