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 Wet Alkaline Etching of Si Selectively to SiGe for sub 10 nm Gate All Around Architectures Si对SiGe的湿法碱性选择性刻蚀用于亚10 nm栅极全构型
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材料科学
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期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者：Sana Rachidi; V. Loup; Alain Campo; Jean‐Michel Hartmann; N. Possémé 出版日期：2021-01-01 |
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