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 Ferroelectric gating of two-dimensional semiconductors for the integration of steep-slope logic and neuromorphic devices 用于集成陡坡逻辑和神经形态器件的二维半导体铁电门控
相关领域
材料科学
神经形态工程学
二硒化钨
铁电性
二硒醚
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期刊：Nature electronics 作者：Sadegh Kamaei; Xia Liu; Ali Saeidi; Yingfen Wei; Carlotta Gastaldi; et al 出版日期：2023-08-31 |
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