| 标题 |
 Electronic and mechanical properties of monocrystalline silicon doped with trace content of N or P: A first-principles study 微量N或P掺杂单晶硅的电子和力学性能：第一性原理研究
相关领域
单晶硅
兴奋剂
硅
材料科学
Atom（片上系统）
半导体
带隙
电子结构
纳米技术
凝聚态物理
计算化学
光电子学
化学
物理
计算机科学
嵌入式系统
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Solid State Sciences 作者：W.J. Zhang; Jieshi Chen; S. Li; Yuanhang Wu; Peilei Zhang; et al 出版日期：2021-09-04 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
不配.
薰硝壤
Singularity
Leonardi
HEIKU
坚强亦丝
pcr163
paparazzi221
完美的天空
寻道图强
yufanhui
陈军
一一
iNk
8R60d8
Yziii
豆豆
可靠的书桃
tuanheqi
坚强的广山
皖公网安备34019202002308
