Quality improvement of SiC single crystal by modification of hot zone design adoption with denser graphite insulation in PVT growth

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标题	Quality improvement of SiC single crystal by modification of hot zone design adoption with denser graphite insulation in PVT growth PVT生长中改进热区设计采用致密石墨绝缘提高SiC单晶质量
网址	https://link.springer.com/content/pdf/10.1007/s40042-024-012...
DOI	10.1007/s40042-024-01273-7 doi
其它	期刊：Journal of the Korean Physical Society 作者：Seung Jun Lee; Su Ho Kim; Chae Young Lee; Jong Hwi Park; Jung Woo Choi; et al 出版日期：2024-12-26
求助人	Solar energy 在 2024-12-27 17:39:52 发布自浙江，悬赏 10 积分
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