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 Area-Selective Chemical Doping on Solution-Processed MoS2 Thin-Film for Multi-Valued Logic Gates 用于多值逻辑门的溶液处理MoS2薄膜的区域选择性化学掺杂
相关领域
二硫化钼
三元运算
逻辑门
材料科学
兴奋剂
光电子学
异质结
制作
溶解过程
晶体管
电压
工作职能
薄膜晶体管
阈值电压
纳米技术
电子工程
电气工程
计算机科学
冶金
医学
病理
程序设计语言
替代医学
工程类
图层（电子）
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| 其它 |
期刊：Nano Letters 作者：Jihyun Kim; Myeongjin Jung; Dong Hui Lim; Dongjoon Rhee; Sung-Ae Jung; et al 出版日期：2021-11-15 |
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