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Roughening of the Si/SiO2 interface during SC1-chemical treatment studied by scanning tunneling microscopy
扫描隧道显微镜研究SC1-化学处理过程中Si/SiO2界面的粗糙化
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期刊:Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena 作者:M. Gotoh; K. Sudoh; H. Iwasaki 出版日期:2002-07-27 |
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