| 标题 |
 Roughening of the Si/SiO2 interface during SC1-chemical treatment studied by scanning tunneling microscopy 扫描隧道显微镜研究SC1-化学处理过程中Si/SiO2界面的粗糙化
相关领域
扫描隧道显微镜
材料科学
氧化物
表面光洁度
扫描电子显微镜
量子隧道
场电子发射
纳米技术
硅
分析化学（期刊）
化学工程
光电子学
电子
化学
复合材料
冶金
量子力学
物理
工程类
色谱法
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena 作者：M. Gotoh; K. Sudoh; H. Iwasaki 出版日期：2002-07-27 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
cdercder
昏睡的蟠桃
pluto
冰魂
zmnzmnzmn
sutharsons
科研小民工
科研助手6
文献看不懂
8R60d8
back you up
小小小先生
iNk
机灵柚子
遇上就这样吧
我是站长才怪
竹筏过海
VDC
bc
斯寜
皖公网安备34019202002308
