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 Numerical simulation of single-event-transient effects on ultra-thin-body fully-depleted silicon-on-insulator transistor based on 22 nm process node 基于22 nm工艺节点的超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单事件瞬态效应的数值模拟
相关领域
瞬态（计算机编程）
绝缘体上的硅
节点（物理）
晶体管
材料科学
硅
光电子学
过程（计算）
薄膜晶体管
事件（粒子物理）
计算机科学
电气工程
电压
物理
纳米技术
操作系统
工程类
量子力学
图层（电子）
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期刊：Acta Physica Sinica 作者：Bi Jinshun; Gang Liu; Jun Luo; Han Zhengsheng 出版日期：2013-01-01 |
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