标题 |
The potential of heavily doped n-type silicon in plasmonic sensors
重掺杂n型硅在等离子体传感器中的应用潜力
相关领域
硅
兴奋剂
等离子体子
光电子学
材料科学
纳米技术
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期刊:Measurement 作者:Joyonta Das Joy; Md. Shakibur Rahman; Rummanur Rahad; Mehdi Hasan Chowdhury 出版日期:2024-10-01 |
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