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 The mechanism of improving germanium metal–oxide–semiconductor field-effect transistors’ reliability by high-k dielectric and yttrium-doping: From the view of charge trapping 高k介质和钇掺杂提高锗金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性的机理&从电荷俘获的角度
相关领域
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材料科学
钇
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锗
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氧化物
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Tao Xiong; Juehan Yang; Hui‐Xiong Deng; Zhongming Wei; Yueyang Liu 出版日期：2022-11-03 |
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