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 43‐4: Ultra‐High On‐Current Vertical Field‐Effect Transistor with Submicron Channel Length of 0.5 µm Using CAAC‐IGZO 43-4：使用CAAC-IGZO的具有0.5 μ m亚微米沟道长度的超高导通电流垂直场效应晶体管
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期刊：SID Symposium Digest of Technical Papers 作者：Masataka Nakada; Masami Jincho; Masayoshi Dobashi; Takahiro Iguchi; Yukinori Shima; et al 出版日期：2023-06-01 |
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