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Ultralow-Supersaturation Al Pretreatment toward Low Dislocation Density and Low Radio Frequency Loss GaN/AlN Epi-Stacks on High-Resistivity Si Substrates
高电阻率Si衬底上低位错密度和低射频损耗GaN/AlN外延叠层的超低过饱和度Al预处理
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期刊:ACS applied electronic materials 作者:Zidong Cai; Xiaoyang Yang; Cheng Ma; Zhenghao Chen; Danshuo Liu; et al 出版日期:2022-07-29 |
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