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Improved RF power performance via electrostatic shielding effect using AlGaN/GaN/graded-AlGaN/GaN double-channel structure
AlGaN/GaN/梯度AlGaN/GaN双通道结构通过静电屏蔽效应提高射频功率性能
相关领域
材料科学
光电子学
宽禁带半导体
射频功率放大器
氮化镓
电磁屏蔽
频道(广播)
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期刊:Science China. Information sciences/Science China. Information Sciences 作者:Chunzhou Shi; Ling Yang; Meng Zhang; Hao Lu; Mei Wu; et al 出版日期:2024-03-27 |
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