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标题
Benchmarking of HCl-Based Cyclic Deposition / Etch (CDE) and Single Deposition / Etch (DE) Processes for Selective Epitaxial Growth of SiGeC:B Films
选择性外延生长SiGeC：B薄膜的HCl基循环沉积/蚀刻(CDE)和单次沉积/蚀刻(DE)工艺的基准测试
相关领域
托尔 外延 沉积（地质） 化学气相沉积 薄脆饼 分析化学（期刊） 硼 蚀刻（微加工） 材料科学 碳纤维 纳米技术 化学 复合材料 图层（电子） 有机化学 复合数 古生物学 沉积物 物理 生物 热力学
网址
https://doi.org/10.1149/11402.0333ecst
AI链接 hal.sciencedoi.org
DOI
10.1149/11402.0333ecst doi
其它 期刊：ECS Transactions
作者：Jérémy Vives; Fabien Deprat; Marvin Frauenrath; S. Verdier; Ece Aybeke; et al
出版日期：2024-09-27
求助人
Amoro 在 2025-04-01 14:15:34 发布自浙江，悬赏 10 积分
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