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Realization of Controllable Growth of N-Polarity GaN Films on SiC Substrates by Modulating the Nucleation of the AlN Buffer Layer
通过调制AlN缓冲层的成核实现SiC衬底上N极性GaN薄膜的可控生长
网址
https://doi.org/10.1021/acs.cgd.4c01503
DOI
10.1021/acs.cgd.4c01503 doi
其它 期刊：Crystal Growth & Design
作者：Yunfei Niu; Gaoqiang Deng; Jiaqi Yu; Haotian Ma; Yusen Wang; et al
出版日期：2025
求助人
明理思真 在 2025-03-06 09:00:34 发布自四川，悬赏 10 积分
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