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 Enhanced synaptic properties in HfO2-based trilayer memristor by using ZrO2- oxygen vacancy reservoir layer for neuromorphic computing 利用ZrO2-氧空位储层增强HfO2基三层忆阻器神经形态计算的突触特性
相关领域
神经形态工程学
记忆电阻器
材料科学
图层（电子）
油藏计算
光电子学
计算机科学
纳米技术
人工神经网络
电子工程
工程类
人工智能
循环神经网络
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| 其它 |
期刊：Journal of Material Science and Technology 作者：Turgun Boynazarov; Joonbong Lee; Hojin Lee; Sangwoo Lee; Hyunbin Chung; et al 出版日期：2025-01-17 |
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