Effects of sputtering power on the formation of 5 nm thick ferroelectric nondoped HfO2 gate insulator for MFSFET application

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标题	Effects of sputtering power on the formation of 5 nm thick ferroelectric nondoped HfO2 gate insulator for MFSFET application 溅射功率对形成5nm厚铁电非掺杂HfO2栅绝缘体的影响相关领域材料科学铁电性溅射电介质光电子学晶体管极化（电化学）场效应晶体管威布尔分布硅薄膜电气工程纳米技术化学电压统计数学工程类物理化学
网址	https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac6385
DOI	10.35848/1347-4065/ac6385 doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Joong-Won Shin; Masakazu Tanuma; Shun-ichiro Ohmi 出版日期：2022-04-03
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