High-throughput screening of 2D materials identifies p-type monolayer WS2 as potential ultra-high mobility semiconductor

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标题	High-throughput screening of 2D materials identifies p-type monolayer WS2 as potential ultra-high mobility semiconductor 二维材料的高通量筛选将p型单层WS2鉴定为潜在的超高迁移率半导体相关领域半导体材料科学电子迁移率单层硅从头算接触电阻凝聚态物理欧姆接触光电子学纳米技术化学物理图层（电子）有机化学
网址	https://doi.org/10.1038/s41524-024-01417-0
DOI	10.1038/s41524-024-01417-0 doi
其它	期刊：npj computational materials 作者：Viet-Anh Ha; Feliciano Giustino 出版日期：2024-09-30
求助人	九九在 2025-03-10 17:49:54 发布自浙江，悬赏 10 积分
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