Enhanced Strength Through Nanotwinning in the Thermoelectric Semiconductor InSb

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标题	[求助补充材料] Enhanced Strength Through Nanotwinning in the Thermoelectric Semiconductor InSb 通过纳米孪晶提高热电半导体InSb的强度相关领域热电效应半导体材料科学凝聚态物理光电子学工程物理物理量子力学
网址	https://doi.org/10.1103/physrevlett.119.215503 AI链接 aps.org nih.govdoi.org
DOI	10.1103/physrevlett.119.215503 doi
其它	期刊：Physical Review Letters 作者：Guodong Li; Sergey I. Morozov; Qingjie Zhang; Qi An; Pengcheng Zhai; et al 出版日期：2017-11-21
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