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 Selective Data Writing in IrMn-Based Perpendicular Magnetic Tunnel Junction Array Through Voltage-Gated Spin-Orbit Torque 电压门控自旋轨道转矩在IrMn垂直磁隧道结阵列中的选择性数据写入
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Weixiang Li; Zhaochun Liu; Shouzhong Peng; Jiaqi Lu; Jiahao Liu; et al 出版日期：2024-05-01 |
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