标题 |
1.3 kV Vertical GaN-Based Trench MOSFETs on 4-Inch Free Standing GaN Wafer
4英寸独立式GaN晶片上的1.3 kV垂直GaN基沟槽MOSFET
相关领域
材料科学
光电子学
击穿电压
氮化镓
沟槽
钝化
薄脆饼
工艺CAD
阈值电压
基质(水族馆)
电子工程
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其它 |
期刊:Nanoscale Research Letters 作者:Wei He; Jian Li; Zeliang Liao; Feng Lin; Junye Wu; et al 出版日期:2022-01-15 |
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