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 Trap Characterization of Trench-Gate SiC MOSFETs Based on Transient Drain Current 基于瞬态漏电流的沟槽栅SiC MOSFET陷阱表征
相关领域
材料科学
MOSFET
光电子学
存水弯（水管）
栅氧化层
瞬态（计算机编程）
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电子工程
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期刊：IEEE Transactions on Power Electronics 作者：Shan Jiang; Meng Zhang; Xianwei Meng; Xiang Zheng; Shiwei Feng; et al 出版日期：2023-02-07 |
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